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元件参数资料
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参数目录49521
> IPI80CN10N G MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
型号:
IPI80CN10N G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IPI80CN10N G PDF
产品变化通告
Product Discontinuation 26/Jul/2012
标准包装
500
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
13A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫欧 @ 13A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 12µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
716pF @ 50V
功率 - 最大
31W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装
PG-TO262-3
包装
管件
其它名称
SP000208938
查看IPI80CN10N G代理商
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